摘要:对目前研究材料断裂失效的传统究方法进行了概述,针对传统研究手段存在的不足进行了分析.简要介绍了工业CT的特点,通过工业CT可进一步探索材料失效的相关问题.针对工业CT在材料失效分析中的应用进行了分析,展望了工业CT在该领域的研究前景.

摘要:介绍了Al-Mg-Si系铝合金汽车车身板的性能特点和应用现状,并综述了合金元素、轧制工艺和热处理工艺与制度对铝合金车身板组织与性能的影响.

摘要:研究电子束蒸发ITO过程中,氧流量对制备的ITO薄膜形貌以及电阻率的影响,并分析了其影响的机理.结果表明,在保持温度、真空度、转速和生长速率不变的条件下,氧流量为2 sccm时,制备的ITO薄膜最优,其电阻率为2.2×104Ω·cm,在450～460 nm处的透过率超过98，,折射率为1.7.

摘要:采用PECVD方法制备氮化硅薄膜,利用椭偏仪和拉曼光谱对沉积薄膜的沉积速率、折射率及应力进行表征.结果表明:低频条件下,氮化硅薄膜的沉积速率和折射率比高频条件下的低;低频和高频条件下沉积的氮化硅膜内应力分别表现为压应力和张应力,而高低频交替沉积时,氮化硅的沉积速率、折射率及应力情况与低频与高频的时间占比相关.通过实验调控PECVD高低频时间的占比,制备出了低应力氮化硅薄膜.

摘要:采用旋涂法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi2VO5.5铁电薄膜,研究退火温度对薄膜物相结构、表面形貌、电学性能的影响.500,550,600,700℃退火所得薄膜均表现出c轴取向,且c轴取向度随温度升高而增加,同时薄膜的介电常数增加,介电损耗略有降低,低频色散现象略有减弱.700℃退火所得Bi2VO5.5薄膜剩余极化值约为1.71 μC/cm2,矫顽场为127.8 kV/cm,且薄膜在可见光区有较好的吸收,光学带隙约为2.41 eV.

摘要:采用从近红外到深紫外能谱范围的扫描光谱椭偏方法,对AlN单晶薄膜结构和光学特性进行了研究.结果显示:近红外到近紫外能谱(1.5～3.875 eV)是高透明区,椭偏光谱呈现周期性振荡;近紫外及深紫外能谱(3.875～6.25 eV)是吸收区,椭偏光谱周期性振荡逐渐消失,且在4.27 eV和5.46 eV能谱位置产生与缺陷能级相关的阶跃;在近带边能谱(6.16 eV)处,椭偏光谱出现单峰极值.由多层结构建模及Tanguy Extended色散关系拟合得到AlN单晶薄膜o光和e光对应的禁带宽度(激子束缚能),其分别约为6.32 eV(74.9 meV)和6.08 eV(70.0 meV).研究表明,禁带宽度和光学各向异性对AlN薄膜椭偏光谱具有显著影响.

摘要:在恒温变电流及恒流变温条件下,研究了GaN基蓝光单色芯片的电致发光光谱(EL)特性.结果表明:在电流应力作用下EL谱能量的相对增益大于1,并且随着电流应力增加而不断变大,在长波波段相对增益与电流应力呈线性变化关系;在温度应力作用下,EL谱能量的相对增益在短波波段小于1,而在长波波段大于1.相对增益的这些变化趋势,与非平衡载流子不同的辐射跃迁行为有关.

摘要:在1250℃的燃气热冲击条件下,测试了等离子喷涂7YSZ热障涂层的抗热震性能,并采用交流阻抗技术测量了7YSZ热障涂层的阻抗谱特征.结果表明:随着热冲击循环次数增加,7YSZ热障涂层内热生长氧化物不断生长变厚,阻抗谱中频阶段的响应表现的愈加显著;同时YSZ晶界电阻值增加,电容值下降,表明YSZ内微裂纹发生了生长和扩展.

摘要:对加压渗流铸造方法制备的高硅Si/Al复合材料进行激光重熔处理,以消除微小疏松缺陷,细化Si颗粒以及改善其与铝基体的结合.高硅Si/Al复合材料经激光重熔处理后,熔凝层Si颗粒细化均匀,疏松缺陷消失,但有气孔存在.在激光电流120A、扫描速度50mm/min的重熔规范下,气孔较少,且主要分布在熔凝区中下部.随激光电流增大、扫描速度的减小,Si颗粒逐渐变小,硬度值逐渐增大.重熔区的硬度远高于热影响区和基体,热影响区硬度略低于基体.

摘要:结合水雾化和气雾化的优点,开发了一种水气雾化制粉方法.在雾化过程中发现,熔融的金属液流被气流及高压水流先后破碎,破碎的金属液滴在表面张力的作用下收缩成球形.研究结果表明:该雾化方法制得316L金属粉末D50(8～13 μm)的收得率达到78.3，,振实密度超过4.7 g/cm3;粉末的形貌为近球形,组织为奥氏体和铁素体两相共存.

摘要:研制了一种适合于In713C高温合金注射成形的聚甲醛基粘结剂,研究了剪切速率、温度及载荷对喂料流变行为的影响.结果表明:粘结剂各组分配比为m(POM)∶m(HDPE)∶m(EVA)∶m(SA)∶m(PE-Wax)=85∶7∶3∶3∶2,所制备的喂料的粘度随剪切速率的增大而降低,并具有剪切稀化的假塑性流体特性.粉末装载量为60，时,In713C高温合金喂料的流动指数和粘流活化能分别为0.429和29.07 kJ·mol-1,熔体流动速率为1066.4 g/10min.该喂料具有较好的流变特性,适合用于粉末注射成形.

摘要:将聚乙烯吡咯烷酮溶液和羧甲基壳聚糖溶液简单混合,通过调整体系pH值可制备出原位水凝胶.经衰减全反射傅里叶红外光谱分析表明,羧甲基壳聚糖与聚乙烯吡咯烷酮之间存在相互作用.该凝胶具有良好的溶胀性能及生物相容性,无细胞毒性.

摘要:为进一步调节GaN材料刻蚀的关键特征尺寸、改善GaN材料刻蚀损伤,采用电感耦合等离子体(ICP)方法刻蚀GaN材料.通过分别改变ICP过程中的气体比例、腔室气压、ICP功率及RF功率参数,对ICP刻蚀GaN材料的速率、GaN与光刻胶选择比及直流偏压的变化做了系统地研究,得到了台面刻蚀的最优参数.使用光刻胶作为掩模刻蚀了1.837 μm深度的GaN材料样品,表面的光刻胶平整光滑;刻蚀台阶整齐连续,刻蚀倾角控制在75°以内.

摘要:铜硫钨多金属矿浮选尾矿水回用于铜硫浮选时,严重影响铜硫精矿的选矿指标.研究结果表明,钨浮选尾矿水经简单处理后回用,在铜浮选作业加入新型调整剂CW、在钨浮选作业加入对黄铁矿和磁黄铁矿捕收能力较弱的新型钨捕收剂TM,可获得铜精矿品位18.36，Cu、回收率76.67，的指标,其选别指标接近于用自来水的指标.

摘要:某复杂铜硫钨多金属矿石中磁黄铁矿含量高,造成尾矿水酸度大,金属离子含量高.针对此特点,研究了该矿山尾矿水回用对浮选过程的影响,并探讨其影响机理.结果表明,与使用自来水相比,使用尾矿水所得的铜精矿Cu品位下降、WO3含量升高;硫精矿S回收率及钨粗精矿WO3回收率均下降;尾矿水中的Ca2+,Mg2+,Fe3+可减少捕收剂在白钨矿表面的吸附量,从而影响白钨矿的浮选.

摘要:采用碘量法测定钴铬烤瓷合金中的钴,测定结果的相对标准偏差(RSD)为0.11，(n=11).表明该方法具有良好的精密度,准确度高,能够满足钴铬烤瓷合金中钴含量的测定要求.

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