摘要:采用熔炼和热压烧结制备了合金Si80Ge20P3,Si和Ge中添加P实现N型掺杂,熔炼实现Si和Ge合金化,热压烧结使合金Si80 Ge20 P3成型.对合金Si80 Ge20 P3进行XRD,SEM及EDS表征并进行电导率、Seebeck系数、热导率等热电参数测试.结果表明,制备的Si80 Ge20 P3结构致密、硅锗分布均匀,合金化完全,实现了杂质P的有效掺杂.Si80 Ge20 P3具有较佳的热电性能,热导率κ随温度升高而降低,在800℃时为2.6 W/(m·K),其功率因子PF和热电优值ZT随温度升高而增加,在800℃时Z T值达到1.06.
