硅基锗硅驰豫衬底的外延生长

Epitaxial growth of strain relaxed SiGe layer on Si substrates

摘要:

应用低温缓冲层的方法,采用超高真空化学汽相淀积法(UHV/CVD)在硅(100)衬底上外延出应变弛豫的低位错密度的锗硅(SiGe)薄膜,分别采用利用 X 射线双晶衍射和拉曼光谱仪、原子力显微镜和化学腐蚀位错坑等方法,对薄膜进行分析检测.结果表明,在 300 oc 低温时 Ge 量子点缓冲层上生长的 SiGe外延层厚度仅为 380 nm,弛豫度已达 99％,位错密度低于 1 ×105 cm-2,表面无Cross-hatch形貌,表面且粗糙度小于 2 nm.

Abstract: