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偏压对高功率脉冲磁控溅射DLC膜层结构及性能的影响
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TG174

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Effect of biasvoltage on structure and properties of DLC films deposited by high power pulse magnetron sputtering
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    摘要:

    采用高功率脉冲磁控溅射技术制备DLC膜层,研究了偏压的变化对膜层结构及主要力学性能的影响.利用扫描电镜、原子力显微镜、拉曼光谱仪、X射线光电子能谱仪、纳米压入仪、划痕仪和磨擦磨损试验仪分析检测了DLC膜结构与性能.结果表明:偏压的提高,有利于改善 DLC 膜的表面光洁度及致密性,DLC 膜表面均方根粗糙度Rq由不施加偏压时的 5.3 9 nm 降低至偏压为-3 50V的0.9 7 nm;致密性的提高使沉积速率略有下降,膜层厚度减小.偏压的增加,DLC 膜内部sp3含量先增加后减小趋势,在偏压为-250 V 时,DLC 膜中 sp3含量最高.偏压的增大,DLC 膜的硬度、杨氏模量和摩擦磨损等主要力学性能均呈先增大后减小的趋势,并在偏压为-250 V时达到最高值,与微观结构变化趋势相吻合.

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引用本文

林松盛,高迪,苏一凡,许伟,郭朝乾,李洪,石倩,韦春贝,代明江,杨建成.偏压对高功率脉冲磁控溅射DLC膜层结构及性能的影响[J].材料研究与应用,2020,(1):1-8.

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  • 在线发布日期: 2021-03-23
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