锗(Ge)材料中砷(As)离子注入掺杂和退火激活的实验研究

Experimental study on doping and annealing activation of As ion implantation in Ge materials

摘要:

采用离子注入和快速热退火处理获得n型锗材料,利用拉曼(Raman)光谱、二次离子质谱(SIMS)、扩展电阻测试(SRP)和四探针等分析方法,分别研究了样品热退火前后的微结构和电学性能.实验结果表明,该掺杂方法能得到稳定的n型锗材料,其电学性能随热退火温度的升高和时间的缩短而进一步改善,其中在700℃、3 s退火条件下,样品的电学激活浓度约为3.14×1019 cm-3,方块电阻为63.5Ω/sq.

Abstract: