电感耦合等离子体刻蚀GaN材料的工艺研究

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电感耦合等离子体刻蚀GaN材料的工艺研究
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中图分类号:TN405.98
基金项目:广东省创新团队(2013C067)，广东省科技计划项目(2016B070701023)，广东省重大科技专项(2014B010119003,2015B010112002)，广东省应用型科技研发专项(2015B010129010,2015B010134001,2015B010132004)，广东省科研基础条件建设专题(2016GDASPT-0313,2016GDASPT-0219)

Study of inductively coupled plasma etching of GaN

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为进一步调节GaN材料刻蚀的关键特征尺寸、改善GaN材料刻蚀损伤,采用电感耦合等离子体(ICP)方法刻蚀GaN材料.通过分别改变ICP过程中的气体比例、腔室气压、ICP功率及RF功率参数,对ICP刻蚀GaN材料的速率、GaN与光刻胶选择比及直流偏压的变化做了系统地研究,得到了台面刻蚀的最优参数.使用光刻胶作为掩模刻蚀了1.837 μm深度的GaN材料样品,表面的光刻胶平整光滑;刻蚀台阶整齐连续,刻蚀倾角控制在75°以内.

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任远,刘晓燕,刘久澄,刘宁炀,陈志涛.电感耦合等离子体刻蚀GaN材料的工艺研究[J].材料研究与应用,2016,(3).

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在线发布日期: 2020-04-26
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