AlN单晶薄膜扫描光谱椭偏研究

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AlN单晶薄膜扫描光谱椭偏研究
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中图分类号:O472.3
基金项目:国家自然科学基金(1134048)，广东省创新团队(2013C067)，广东省特支计划(2014TQ01C707)，广东省自然科学基金(2015A030310023)，广东省重大科技专项(2014B010119003,2015B010112002)，广东省应用型科技研发专项(2015B010129010)，广东省公益研究与能力建设项目(2016B070701023)

Spectroscopic ellipsometry studies on the AlN single crystal thin film

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采用从近红外到深紫外能谱范围的扫描光谱椭偏方法,对AlN单晶薄膜结构和光学特性进行了研究.结果显示:近红外到近紫外能谱(1.5～3.875 eV)是高透明区,椭偏光谱呈现周期性振荡;近紫外及深紫外能谱(3.875～6.25 eV)是吸收区,椭偏光谱周期性振荡逐渐消失,且在4.27 eV和5.46 eV能谱位置产生与缺陷能级相关的阶跃;在近带边能谱(6.16 eV)处,椭偏光谱出现单峰极值.由多层结构建模及Tanguy Extended色散关系拟合得到AlN单晶薄膜o光和e光对应的禁带宽度(激子束缚能),其分别约为6.32 eV(74.9 meV)和6.08 eV(70.0 meV).研究表明,禁带宽度和光学各向异性对AlN薄膜椭偏光谱具有显著影响.

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刘宁炀,王巧,王君君,刘晓燕,林丹,张志清,赵维,陈志涛. AlN单晶薄膜扫描光谱椭偏研究[J].材料研究与应用,2016,(3).

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在线发布日期: 2020-04-26
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