c轴取向钒酸铋铁电薄膜的制备及电学性能

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c轴取向钒酸铋铁电薄膜的制备及电学性能
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中图分类号:O482.3
基金项目:国家星火计划(2015GA780058)，广东省科技专项(2016A010103041)，广东高校青年人才创新计划(2014KQNCX188)，岭南师范学院博士专项(ZL1503)

Preparation and electrical properties of c-axis oriented bismuth vanadate ferroelectric thin films

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采用旋涂法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi2VO5.5铁电薄膜,研究退火温度对薄膜物相结构、表面形貌、电学性能的影响.500,550,600,700℃退火所得薄膜均表现出c轴取向,且c轴取向度随温度升高而增加,同时薄膜的介电常数增加,介电损耗略有降低,低频色散现象略有减弱.700℃退火所得Bi2VO5.5薄膜剩余极化值约为1.71 μC/cm2,矫顽场为127.8 kV/cm,且薄膜在可见光区有较好的吸收,光学带隙约为2.41 eV.

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谢伟,唐晓山,邹长伟. c轴取向钒酸铋铁电薄膜的制备及电学性能[J].材料研究与应用,2016,(3).

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在线发布日期: 2020-04-26
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