氧流量对电子束蒸发ITO薄膜特性影响的研究

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氧流量对电子束蒸发ITO薄膜特性影响的研究
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中图分类号:TN312.8
基金项目:广东省创新团队(2013C067)，广东省科技计划项目(2016B070701023)，广东省重大科技专项(2014B010119003,2015B010112002)，广东省应用型科技研发专项(2015B010129010,2015B010134001,2015B010132004)，广东省科研基础条件建设专题(2016GDASPT-0313,2016GDASPT-0219)

The effect of oxygen flow on the properties of ITO thin films evaporated by E-beam

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研究电子束蒸发ITO过程中,氧流量对制备的ITO薄膜形貌以及电阻率的影响,并分析了其影响的机理.结果表明,在保持温度、真空度、转速和生长速率不变的条件下,氧流量为2 sccm时,制备的ITO薄膜最优,其电阻率为2.2×104Ω·cm,在450～460 nm处的透过率超过98，,折射率为1.7.

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刘晓燕,任远,刘久澄,刘宁炀,张康,黄朝辉,陈志涛.氧流量对电子束蒸发ITO薄膜特性影响的研究[J].材料研究与应用,2016,(3).

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在线发布日期: 2020-04-26
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