电弧离子镀AlN薄膜的光致发光性能的研究

Study on the photoluminescense properties of AlN and Cu-doped AlN films deposited by cathodic arc ion plating

摘要:

在电弧离子镀弧靶前加挡板以去除大颗粒污染,分别在Si(100)基底上制备非掺杂的纯AlN薄膜,在石英玻璃基底上制备Cu掺杂的AlN薄膜.用X射线衍射(XRD)分析表明,纯AlN膜为弱(100)多晶织构,而掺Cu的AlN薄膜为非晶结构;X 射线光电子能谱(XPS)研究表明,Cu掺杂AlN薄膜中,Cu为+1价,原子百分含量为11，;光致发光谱显示纯AlN薄膜发紫光(～400 nm),Cu掺杂的AlN薄膜发蓝光(～450 nm).

Abstract: