B-C-N薄膜的制备及其红外光谱表征

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B-C-N薄膜的制备及其红外光谱表征
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中图分类号:O484.4
基金项目:高等学校科技创新工程重大项目培育资金资助项目(707015)，国家重点基础研究发展规划(973计划)(2008CB617614)

Bonding characteristics of B-C-N thin films investigated by ourier-transformed infrared spectroscopy

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采用射频磁控溅射方法,以石墨和六方氮化硼(h-BN)为复合靶,在氩气和氮气的氛围中,在室温和673 K的条件下,分别改变N2流量,沉积BCN薄膜.经傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析表明,在1000～1800 cm-1和2200 cm-1处分别出现了C=N键和弱的C≡N键的特征吸收峰,表明沉积的薄膜组分当中,少量碳原子与氮原子结合.而分别溅射石墨和h-BN靶,红外光谱分析显示1100 cm-1处不是B-C键.说明采用射频磁控溅射方法得到的薄膜倾向于相分离.

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引用本文

贾福超,白亦真,庄春强,屈芳,邢娇杨,赵纪军,姜辛. B-C-N薄膜的制备及其红外光谱表征[J].材料研究与应用,2009,(1).

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在线发布日期: 2020-04-26
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