TM914.4
韩山师范学院青年科研基金(0503),韩山师范学院校科研和教改项目(FC200508)
采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130 Pa和较高的射频功率70 W下,在高于100 ℃低温下,以0.14 nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜.研究结果表明,衬底温度对薄膜晶化率、表面的粗糙度和沉积速率影响很大.当衬底温度高于100 ℃时,薄膜由非晶相向晶相转化.随着衬底温度升高,薄膜晶化率提高,沉积速率缓慢增加.当温度超过300 ℃时,薄膜的晶化率降低,薄膜表面的粗糙度增加,均匀性降低.
刘翠青,陈城钊,邱胜桦,吴燕丹,李平,余楚迎,林璇英.衬底温度对纳米晶硅薄膜微结构的影响[J].材料研究与应用,2008,(4).