SiCl4/H2为气源低温沉积多晶硅薄膜光电特性的研究

Study on photoelectrical properties of polycrystalline silicon thin films deposited at low temperatures using SiCl4/H2

摘要:

采用PECVD技术,通过改变射频功率制备了晶化率不同的多晶硅薄膜.对多晶硅材料光照稳定性的研究表明,晶化率较低的多晶硅稳定性好于普通非晶硅材料,但仍然存在着光衰减;晶化率较高的多晶硅材料显示出稳恒光电导效应,不存在光衰退现象;光照时多晶硅材料的电导率增加,光注入后因光生载流子对缺陷态的填充使费米能级上移,激活能减小.

Abstract: