晶界层介电陶瓷及其单层电容器

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晶界层介电陶瓷及其单层电容器
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中图分类号:TN304
基金项目:科技部科技型中小企业技术创新项目(06C26214401624)

Grain boundary dielectric ceramics and the single layer chip capacitors

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研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能的关系.通过等效电路分析,XRD,SEM显微结构观察,探讨了晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,制成了介电系数可调(10000～50000),电容量变化率低(±4.7，～±22，),使用温域宽(-55～+125℃)的单层片式晶界层电容器.

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杨俊锋,冯毅龙,赵海飞,程超.晶界层介电陶瓷及其单层电容器[J].材料研究与应用,2008,(3).

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在线发布日期: 2020-04-26
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