红外光学薄膜材料ZnS靶材的研制

A new technique for the preparation of an infrared optical film material - ZnS target

摘要:

在pH2～3、温度80～85℃的Zn2+溶液中通入H2S气体,制取高纯ZnS粉.将ZnS粉压制成形,通过高温烧结和快速冷却,可制成符合真空蒸发镀膜要求的ZnS靶材.ZnS靶的化学纯度及密度是影响镀膜质量的重要因素,烧结ZnS靶的表观密度为3.65～3.85g/cm3.本试验制备的ZnS靶的镀膜符合光学元件要求的镀膜.

Abstract: