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柔性氧化物薄膜晶体管研究进展
作者:
作者单位:

1.顺德职业技术学院,广东 佛山 528300;2.华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室,高分子光电材料与器件研究所,广东 广州 510641

作者简介:

张立荣(1988-),男,广东阳江人,博士研究生,主要从事新型光电显示驱动的研究,Email:Loezhang@foxmail.com。

通讯作者:

吴为敬(1979-),男,福建福州人,博士,教授,主要研究方向为有机发光显示、薄膜晶体管技术及应用,Email: wuwj@scut.edu.cn。

中图分类号:

TN304.2

基金项目:

广东省普通高校重点科研平台和科研项目(2018GKTSCX039,2022KQNCX279)


Research Progress of Flexible Oxide Thin Film Transistors
Affiliation:

1.Shunde Polytechnic, Guangdong Foshan 528300, China;2.Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, South China University of Technology, Guangzhou 510641, China

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    摘要:

    氧化物半导体由于具有相对较高的载流子迁移率、良好的均匀性和光学透明度、较低的工艺温度、低成本及可在柔性衬底上制作等特点,近十年来引起了人们的广泛关注。基于氧化物有源层的柔性薄膜晶体管(TFT)已经在下一代显示器(AMOLED, Micro LED)、物联网技术、柔性传感器、可穿戴领域及微型植入系统等领域中获得应用。综述了氧化物TFT的器件结构,介绍了柔性氧化物TFT的研究进展,包括在不同种类的柔性衬底PET、PEN、PI上制作TFT的研究现状,并对氧化物TFT的未来发展进行了总结和展望。

    Abstract:

    Oxide semiconductors (OS) have attracted a lot of attention in the last decade due to their relatively high carrier mobility, good uniformity, low processing temperature, optical transparency, low cost, and can be fabricated especially on flexible substrates. Flexible thin-film transistors (TFTs) based on OS active layers have gained applications in next-generation displays (AMOLED, Micro LED), IoT technologies, flexible sensors, wearable fields, and micro-implant systems. This paper reviews the oxide TFT device structure, introduces the research progress of flexible oxide TFTs, including the current research status of TFTs fabricated on different types of flexible substrates PET, PEN, and PI. Last, summary and outlook on the future development of oxide TFTs are given.

    表 1 不同衬底的柔性氧化物TFT性能参数对比Table 1 Comparison of flexible oxide TFTs with different substrates
    图1 氧化物TFT器件结构Fig.1 Typical device configurations of oxide semiconductors
    图2 聚合物光学薄膜分类Fig.2 Classification of polymer optical films
    图3 全ITO电极的氧化物TFTFig.3 Oxide TFT with all ITO electrodes
    图4 交替堆叠栅极绝缘结构的氧化物TFT[50]Fig.4 Oxide TFT with alternating stacked gate insula-tion structure
    图5 全印刷工艺的氧化物TFT[52]Fig.5 Oxide TFT with full inject printing process
    图6 PEN衬底的氧化物TFT[55,57]Fig.6 Oxide TFTs on PEN substrate
    图7 PEN衬底喷墨印刷工艺制备的氧化物TFT[59]Fig.7 Oxide TFT fabricated by inkjet printing process on PEN substrate
    图8 具有BCE结构的IZO TFTs[60]Fig.8 IZO TFTs with BCE structure
    图10 基于溶胶-凝胶氧化物TFT的制造工艺的流程示意图Fig.10 Flow chart of the sol-gel oxide TFT-based manufacturing process
    图11 P型 SnO TFT的结构图Fig.11 Structure of p-type SnO TFT
    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

张立荣,肖文平,谢飞,赵良红,刘淳,李非凡,左文财,吴为敬.柔性氧化物薄膜晶体管研究进展[J].材料研究与应用,2022,(5):718-729.

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  • 收稿日期:2022-08-29
  • 在线发布日期: 2022-11-04
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