柔性氧化物薄膜晶体管研究进展

Research Progress of Flexible Oxide Thin Film Transistors

摘要:

氧化物半导体由于具有相对较高的载流子迁移率、良好的均匀性和光学透明度、较低的工艺温度、低成本及可在柔性衬底上制作等特点，近十年来引起了人们的广泛关注。基于氧化物有源层的柔性薄膜晶体管（TFT）已经在下一代显示器（AMOLED, Micro LED）、物联网技术、柔性传感器、可穿戴领域及微型植入系统等领域中获得应用。综述了氧化物TFT的器件结构，介绍了柔性氧化物TFT的研究进展，包括在不同种类的柔性衬底PET、PEN、PI上制作TFT的研究现状，并对氧化物TFT的未来发展进行了总结和展望。

Abstract:

Oxide semiconductors （OS） have attracted a lot of attention in the last decade due to their relatively high carrier mobility， good uniformity， low processing temperature， optical transparency， low cost， and can be fabricated especially on flexible substrates. Flexible thin-film transistors （TFTs） based on OS active layers have gained applications in next-generation displays （AMOLED， Micro LED）， IoT technologies， flexible sensors， wearable fields， and micro-implant systems. This paper reviews the oxide TFT device structure， introduces the research progress of flexible oxide TFTs， including the current research status of TFTs fabricated on different types of flexible substrates PET， PEN， and PI. Last， summary and outlook on the future development of oxide TFTs are given.